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SiC激光退火炉

SiC激光退火炉

主要特点

激光加热

低热预算

局部退火,高温作用深度浅,不影响背面器件结构

惰性气氛保护退火


关键技术指标

晶圆尺寸:4吋/6吋/8吋

支持片厚:100μm,150μm,厚片

比接触电阻值:≤3E-5Ωcm²

比接触电阻面内一致性:<5%

最大产能:15片/小时


适应工艺

SiC欧姆接触的制备




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