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SiC长晶炉

SiC长晶炉

主要特点

坩埚旋转机构,温度均匀性好

感应加热,升降温速度快

耐高温特殊材料生长室,颗粒污染低

安全可靠性高,硬件和软件双保险


关键技术指标

衬底尺寸:6吋

最高温度:≥2400℃

真空极限:≤1E-4Pa

半绝缘型电阻率:≥1E8Ω·cm

导电型电阻率:0.015~0.025Ω·cm

微管密度:<0.3个/cm²


适应工艺

导电型SiC单晶生长

半绝缘型SiC单晶生长







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